光电半导体资料研发中心一阶段

竣工环境；验收竣工调试公示

凭据国务院令第682号文《关于批改<建设项目环境；ぶ卫硖趵>的决定》和环境；げ[2017]4号文《建设项目竣工环境；ぱ槭赵菪蟹ㄗ印返然，现将项目情况及建设单元联系方式与项目配套建设的环保设施进行公示
。

一、项目概况

项目名称：光电半导体资料研发中心

建设单元：新宝GG

建设性质：新建

建设地址：武汉经济技术开发区东荆河路1号

工程概况：①新建CMP抛光垫及CMP预聚体研发、检测及评价尝试室；②新建PI、PI单体、PSPI等研发、检测及评价尝试室；④新建中试线：蕴含300吨/年CMP预聚体、150吨/年CMP洗濯液、150吨/年刻蚀洗濯液、150吨/年PSPI中试线
。

二、项目开工、竣工日期及调试起止日期

①项目建设开工日期：2023年8月；

②项目建设竣工日期：2024年9月31日；

③项目调试起头日期：2024年10月20日；

④项目调试终止日期：2025年1月20日；

三、建设单元联系方式

建设单元：新宝GG

通讯地址：武汉经济技术开发区东荆河路1号

联系人：何佐云

联系电话：13971403330

邮箱：372445172@qq.com

公示单元：新宝GG

                                      公示功夫：2024年10月20日