产品详情
| 产品 | 产品介绍 | 关键机能描述 |
| KrF光刻胶 | KrF光刻胶是以氟化氪(KrF)激光(波长248nm)为曝光光源的光刻胶,由成膜树脂、光酸、溶剂及助剂等配造而成,拥有高分辨率、耐刻蚀蹬着点,重要利用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺。公司目前已开发的KrF光刻胶产品合用工艺蕴含Poly、AA、Metal、Implant、Contact Hole、Via等,利用领域蕴含存储,逻辑以及CIS特色工艺(深邃宽迸爪用)。 | 膜厚100-5000nm CD ≥120 nm |
| ArFi光刻胶 | 浸没式ArF光刻胶是以氟化氩(ArF)激光(波长193nm)为曝光光源的光刻胶,重要用于45nm以下集成电路造作技术节点。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品蕴含正显影(PTD)和负显影(NTD)两类,合用工艺蕴含Poly、Metal、Contact Hole、Via等,利用领域涉及存储(3D NAND, DRAM)和高机能逻辑器件。 | 膜厚50-200nm CD ≥37.5 nm |
关键词:晶圆光刻胶
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晶圆光刻胶
晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中,光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上,再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升,光刻胶开发技术难度大幅增长,成为一连摩尔定律的关键技之一。
有关产品
集成电路资料
CMP造程资料
半导体先进封装
半导体显示资料
OLED
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YPI
粘度4000cP~7000cP;<br> 固含量10%~20%;<br> 膜厚5μm~15μm固化温度450℃~480℃;<br> 1%失沉温度>560℃;<br> 具备优异的力学光学机能
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PSPI
ghi线曝光;<br> 分辨率2μm~3μm;<br> 覆盖高/低感光度PSPI;<br> 膜厚1μm~5μm;<br> 固化温度250℃~280℃;<br> 具备优异的光学、力学机能
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TFE INK
粘度20cP~22cP;<br> 水分<50ppm;<br> 395nmUV固化;<br> 膜厚6μm~15μm;<br> 具备优异的光学机能
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BPDL
分辨率5μm;<br> 粒径50~70nm;<br> 固化温度250℃~280℃;<br> 膜厚1μm~5μm;<br> OD(光密度)>1/μm
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无氟PSPI
ghi线曝光;<br> 分辨率2μm~3μm;<br> 覆盖高/低感光度PFAS free PSPI;<br> 膜厚1μm~5μm;<br> 固化温度250℃~280℃;<br> 具备优异的光学、力学机能