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晶圆光刻胶
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晶圆光刻胶

所属分类: 高端晶圆光刻胶产品

晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中,光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上,再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升,光刻胶开发技术难度大幅增长,成为一连摩尔定律的关键技之一。

产品详情

产品产品介绍关键机能描述
KrF光刻胶

KrF光刻胶是以氟化氪(KrF)激光(波长248nm)为曝光光源的光刻胶,由成膜树脂、光酸、溶剂及助剂等配造而成,拥有高分辨率、耐刻蚀蹬着点,重要利用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺。公司目前已开发的KrF光刻胶产品合用工艺蕴含Poly、AA、Metal、Implant、Contact Hole、Via等,利用领域蕴含存储,逻辑以及CIS特色工艺(深邃宽迸爪用)。

膜厚100-5000nm

CD ≥120 nm

ArFi光刻胶

浸没式ArF光刻胶是以氟化氩(ArF)激光(波长193nm)为曝光光源的光刻胶,重要用于45nm以下集成电路造作技术节点。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品蕴含正显影(PTD)和负显影(NTD)两类,合用工艺蕴含Poly、Metal、Contact Hole、Via等,利用领域涉及存储(3D NAND, DRAM)和高机能逻辑器件。

膜厚50-200nm

CD ≥37.5 nm

关键词:晶圆光刻胶

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晶圆光刻胶

晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中,光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上,再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升,光刻胶开发技术难度大幅增长,成为一连摩尔定律的关键技之一。

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