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洗濯液

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所属分类： CMP造程资料

重要用于去除残留在晶圆表表的微尘颗粒、有机物、无机物、金属离子、氧化物等杂质,满足集成电路造作对清洁度的极高要求,对晶圆出产的良率起到了沉要的作用。

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产品详情

产品	产品介绍	分类	关键机能描述
DZ38X系列	用于集成电路造作中，金属铜后洗濯的碱性配方型洗濯液，能有效去除表表颗粒、有机物及金属传染物，并兼具铜�；ぶ澳�，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。	金属类化学机械抛光后洗濯液	产品洗濯成效优异，安全机能高，Q-time较高，对铜的侵蚀快率低
DZ611	用于集成电路造作中，金属铜及金属钨CMP后洗濯的酸性配方型洗濯液，利用覆盖多个工艺节点，能有效去除表表颗粒、有机物及金属传染物。		产品洗濯成效优异，安全机能高，对铜的侵蚀快率低
DZ101	用于集成电路造作中，金属钨和氮化硅CMP后洗濯的配方型洗濯液，在涉及多沉资料界面的CMP后洗濯工艺中拥有优良的清洁阐发。产品已在逻辑器件量产中使用。		产品对W、SiN、TEOS、TiN和Co等多种资料拥有优良的兼容性及洗濯成效
DZ105	用于集成电路造作中，金属钨断根沾污的酸性配方型洗濯液，旨在针对抛光垫表表清洁，用于降低金属栅极工艺的沾污水平。		产品对W、SiN、Co、Al、Ti、TiN拥有极低的侵蚀快率及优良的洗濯成效
DZ4XX系列	用于集成电路造作中，金属钨CMP后洗濯的弱酸型洗濯液，重要用于金属栅极洗濯，已在逻辑器件量产中使用。		产品在W和TEOS表表占有很好的洗濯机能，同时对W、SiN、TEOS、TiN以及Co占有优良的资料兼容性。
DZ6XX系列	用于集成电路造作中，金属铝CMP后洗濯的酸性洗濯液，拥有优良的清洁阐发及极低的缺点率，已在逻辑器件量产中使用。		产品洗濯成效优异，与Al、TEOS等多种资料兼容性佳，对铝的侵蚀快率较低。
DZ1XX系列	用于集成电路造作中，多晶硅和氮化硅 CMP后洗濯的配方型洗濯液，利用于抛光垫表表，能有效去除表表颗粒传染物，已在逻辑器件量产中使用。	非金属类化学机械抛光后洗濯液	产品兼容Poly-Si、SiN和TEOS，能够合用于STI、ILD、ILD0以及Poly等造程的辅助洗濯

关键词：洗濯液

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