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所属分类： CMP造程资料

抛光液是一种颗粒散布匀散的胶体,可使硅片表表产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光主张。通常抛光液的流快、粘度、温度、成分、pH值等城市对去除成效有影响。

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产品详情

产品	分类	产品介绍
抛光液	多晶硅抛光液	用于集成电路造作工艺中多晶硅的去除和平展化，拥有高多晶硅去除快率，高稀释比、低缺点率的特点。产品已经在存储器件量产中使用。
	氮化硅抛光液	用于集成电路造作工艺中STI buff/ILD/SAC等造程氮化硅的去除和平展化，拥有碟形效应建复能力强，栅极高度精准节造的利益，在28nm/14nm等逻辑器件造作中宽泛利用。
	介电资料抛光液	用于集成电路造作工艺中介电层资料（氧化硅）的去除和平展化，拥有高去除快率，高稀释比、低缺点率的特点。产品已经在存储器件出产中量产使用。
	硅衬底抛光液	在集成电路造作中，用于硅片表表化学机械抛光(CMP)，有去除快率高，表表缺点率低的特点。
	钨栅极抛光液	搭载自产氧化铝研磨粒子，用于逻辑器件造作工艺中金属钨栅极资料的去除和平展化，拥有高平展化效能，高选择比，低缺点率的特点。产品已经在先进造程逻辑器件出产中量产使用。
	钨抛光液	用于集成电路造作工艺中金属钨资料的去除和平展化，选择比可控，满足选择比定造需要，低缺点率，高阶或先进工艺使用。已经在逻辑器件出产中量产使用。
	铜反对层抛光液	用于集成电路造作铜互连工艺中反对层的去除和平展化，选择性抛光铜与反对层，高平坦度、低缺点，低侵蚀或碟形凹陷。
	铜抛光液	用于集成电路造作工艺中金属铜的去除和平展化，拥有高去除快率，高稀释比，低缺点等特点。
	铝栅极抛光液	搭载自产氧化铝研磨粒子，用于集成电路造作工艺中金属铝栅极资料的去除和平展化建复，拥有高平展化效能，高选择比，低缺点率的特点。产品已经在逻辑器件造作中使用。
	氧化铈抛光液	搭载自产氧化铈研磨粒子，用于集成电路造作工艺中介电层资料（氧化硅）的去除和平展化，STI结构的构建中。拥有高氧化硅去除快率，高平展化效能、低碟形效应、低缺点率的特点。
	铝磨料	HKMG slurry使用研磨粒子，利用于Al和W高精度抛光。拥有硬度高，研磨快率快，CMP后缺点少的特点。
	铈磨料	STI＆ILD slurry使用研磨粒子，占有丰硕的活性位点，能够实现氧化硅的急剧去除。拥有研磨快率快，平展化效能高的特点。
	超纯硅磨料	先进工艺CMP slurry中的主题原料。宽泛用于前段工艺及先进造程的金属互连工艺。拥有硬度低，缺点少的特点。
	高纯硅磨料	用于集成电路造作工艺中各造程中slurry设计，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，可用作急剧去除与选择比节造高的场景。

关键词：抛光液

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抛光液是一种颗粒散布匀散的胶体,可使硅片表表产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光主张。通常抛光液的流快、粘度、温度、成分、pH值等城市对去除成效有影响。

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晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增长，成为一连摩尔定律的关键技之一。

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