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抛光垫

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所属分类： CMP造程资料

抛光垫是横跨高分子化学、高分子物理、有机合成、液体力学、摩擦学、精密加工等多学科领域的技术密集型产品。

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产品系列	产品介绍
晶圆抛光硬垫	抛光硬垫是化学机械抛光（CMP）工艺主题耗材，其通过机械摩擦与化学侵蚀协同作用，去除晶圆表表资料并实现纳米级平坦度。
大硅片抛光垫/晶圆抛光软垫	抛光软垫是化学机械抛光（CMP）工艺主题耗材，重要用于精抛和终路抛光；相较于硬垫，软垫拥有更好的表表适应性，能削减划痕并提高光洁度。
第三代半导体抛光垫	第三代半导体抛光垫是化学机械抛光（CMP）工艺主题耗材，通过化学侵蚀与机械研磨的协同作用，去除晶圆表表资料并实现纳米级平坦度。由于SiC和GaN硬度高（SiC莫氏硬度达9.5），传统抛光垫难以满足需要，因而选取特殊资料和结构设计，以平衡硬杜纂柔韧性，削减表表缺点。

关键词：抛光垫

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有关产品

晶圆光刻胶

晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增长，成为一连摩尔定律的关键技之一。

PI取向液

粘度5cP~40cP；<br> 固含量3%~8%；<br> 固化温度230℃；<br> 电压维持率≥99%；<br> 硬度≥3H

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