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封装光刻胶

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封装光刻胶

所属分类：半导体先进封装

ghi线曝光；
分辨率5μm~10μm；
覆盖高/低温固化PSPI；
膜厚5μm~15μm；
固化温度200℃~400℃；
具备优异的电学、力学机能和Cu附着力

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负性光敏DG5010/DG5020产品，有优良的图形化能力，通过高温交联和酰亚胺化后所得的聚酰亚胺膜拥有优异的耐热性、尺寸不变性、力学个性和耐化学性等�？捎米飨冉庾癰umping，RDL工艺等的钝化绝缘层缓和冲层。

关键词：封装光刻胶

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ghi线曝光；
分辨率5μm~10μm；
覆盖高/低温固化PSPI；
膜厚5μm~15μm；
固化温度200℃~400℃；
具备优异的电学、力学机能和Cu附着力

电话：027-59881888

有关产品

晶圆光刻胶

晶圆光刻胶是半导体光刻造程中最关键的主题资料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩幼、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增长，成为一连摩尔定律的关键技之一。

PI取向液

粘度5cP~40cP；<br> 固含量3%~8%；<br> 固化温度230℃；<br> 电压维持率≥99%；<br> 硬度≥3H

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